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孙述涛出席宽禁带半导体产业发展论坛签约活动

2018-07-20 10:05:45 来源: 济南日报

  今天上午,宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约活动举行。市委副书记、市长孙述涛在签约活动上为专家代表颁发“半导体产业发展特邀顾问”聘书并致辞,中国科学院院士、浙江大学硅材料国家重点实验室主任杨德仁,山东大学党委常委、常务副校长王琪珑出席活动。

  孙述涛在致辞时表示,半导体产业是信息技术产业的核心,是国家重要的基础性、先导性和战略性产业,也是高技术人才和资金密集的高科技产业,发展潜力巨大。济南在发展宽禁带半导体产业方面有着良好的产业基础和一定的研发优势。发展宽禁带半导体产业需要政府、企业和社会各方面的共同努力。下一步,我们将成立基金、组建推进队伍,并努力创造一流的营商环境,提供优质高效的服务,推动宽禁带半导体产业在济南加快发展。

  签约活动上,槐荫区政府与山东大学签订共建山东大学科技成果技术转移中心协议;槐荫区政府、槐荫工业园区管委会、湖南正芯微电子探测器有限公司共同签订“大面积硅漂移探测器产业化”项目战略合作协议;荷兰施泰克集团有限公司、济南轨道交通集团有限公司、山东天岳晶体材料有限公司签订战略合作协议;山东大学晶体材料国家重点实验室与中创科技成果交易平台签署科研成果转移战略合作框架协议。

  宽禁带半导体是指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石等新一代半导体,性能更加优异,可广泛应用于国防军工、轨道交通、高端装备等众多领域,并带来相关产品性能的显著提升。目前,宽禁带半导体在照明行业已形成千亿级产业规模。据国内外权威机构预测,到2025年,全球宽禁带半导体市场规模将超过2万亿元,发展空间广阔。


  倪志纯主持签约活动

  第一项 国承彦致辞

  第二项 孙述涛为专家代表颁发“半导体产业发展特邀顾问”聘书

  第三项 杨德仁院士讲话

  第四项 王琪珑讲话

  第五项 孙述涛致辞

  第六项 签约

  孙述涛,杨德仁,王琪珑,国承彦,张曰良、张军上台鉴证签约。

  槐荫区人民政府与山东大学签订共建山东大学科技成果技术转移中心协议;

  槐荫区人民政府、济南槐荫工业园区管委会、湖南正芯微电子探测器有限公司共同签订“大面积硅漂移探测器产业化”项目战略合作协议;

  荷兰施泰克集团有限公司、济南轨道交通集团有限公司、山东天岳晶体材料有限公司签订战略合作协议;

  山东大学晶体材料国家重点实验室与中创科技成果交易平台签署科研成果转移战略合作框架协议。


背景资料

  一、宽禁带半导体基本概念

  宽禁带半导体是指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石等新一代半导体,性能更加优异。基于宽禁带半导体的系统,功耗大幅降低、能量转换效率大幅提高、系统体积大幅减小,同时兼具耐高温、抗高压、开关速度快、寿命长的优点,可广泛应用于国防军工、航空航天、微波通讯、轨道交通、高端装备、新能源、智能电网、家用电器、半导体照明等众多领域,并带来相关产品性能的显著提升。

  二、国际国内宽禁带半导体产业发展情况

  目前,宽禁带半导体在照明行业已形成千亿级产业规模,在电力电子、微波等领域已应用于军事尖端装备,但民用领域的应用才刚刚起步,规模相对较小。据国内外权威机构预测,到2025年,全球宽禁带半导体市场规模将超过2万亿元,发展空间广阔。在巨大的产业优势和光明的应用前景吸引下,世界各国尤其是发达国家,都将发展宽禁带半导体产业列入国家战略,加紧布局推动宽禁带半导体产业发展。

  (一)从国际上来看。美、欧、日等加速抢占全球宽禁带半导体市场,已形成三足鼎立之势。美国在SiC领域全球独大,占有全球SiC产量的70%,拥有科锐(Cree)、二六(Ⅱ-VI)、道康宁等知名企业。2015年,美国投资1.4亿美元组建下一代电力电子制造业国家创新研究中心,推进宽禁带器件的技术创新和产业发展,全面替代硅基电力电子产业。欧洲在全球电力电子市场具有强大话语权,拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等优秀半导体制造商,目前正在积极推行SiC电力电子技术应用计划和高效率电动汽车计划。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者,主要生产商有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等。通过“首相计划”设立新能源产业技术综合开发机构和研究所,加快材料研发、器件设计和封装模块化,促进SiC在通讯电源、混合动力汽车、可再生能源变频器、工业马达驱动等领域的应用。

  (二)从国内来看。一是国家重视。国家层面对集成电路产业进行了总体布局,出台相应的支持政策,大力推进研发产业化,以改变我国集成电路过度依赖进口的局面,目前已部分解决了宽禁带半导体材料和器件制备的关键技术问题。“十三五”期间出台一系列产业相关重大文件,均明确了必须加快发展宽禁带半导体产业。二是地方政府行动迅速,争抢发展先机。北京市在顺义区设立了宽禁带半导体产业集聚区,拿出专门的土地和楼宇承载产业发展。福建省以三安光电为龙头,加快推进宽禁带半导体产业的集聚发展,计划投入500亿元,成立专门的安芯基金为宽禁带半导体产业发展提供资金支持。深圳市从解决制约宽禁带半导体研发和技术创新的关键因素着手,全额出资购买研发和检测设备,打造公共服务平台。

  总的来说,国外宽禁带半导体知名大企业集团已经掌握了全产业链核心技术,实现了全产业链产品制造;国内宽禁带半导体材料和器件的研究工作起步较晚,与国外相比水平有一定差距,但在材料等核心技术上,由于山东天岳的技术突破差距已经不大,目前我国从国家到地方都在积极作为,也完全有可能在个别领域实现赶超。

  三、我市宽禁带半导体产业发展优势及布局

  前期,槐荫区委、区政府在广泛调研、专家论证、专题研讨的基础上,拟将宽禁带半导体布局在济南槐荫工业园区(省级经济开发区),作为未来全区重点发展的新动能产业之一,重点培育扶持,以打造全国领先的宽禁带半导体产业聚集区。主要基于以下几点考虑:

  一是具备良好的产业基础。工业园区内现有山东天岳晶体材料有限公司,在宽禁带半导体产业中位于全球前五名,且形成了一定的生产规模,具有良好的龙头带动和产业基础。

  二是具备良好的成果转化能力。工业园区内德迈国际集团联合山东省科学院、山东大学、山东财经大学、山东建筑大学、济南大学、烟台大学、鲁东大学等共同成立了中创科技成果交易平台,将为宽禁带半导体成果提供优越的转化平台。

  三是良好的人才优势。槐荫区与山东大学及晶体材料国家重点实验室具有良好的合作基础,多位晶体材料国家重点实验室教授在工业园区挂职。近期,工业园区还将聘请10余位业内院士、专家作为宽禁带半导体产业特邀顾问。

  四是具备适合的发展空间。工业园区内现有1000余亩土地可作为该产业起步区,同时还有3600多亩土地空间可作为未来产业发展核心区。

  五是具备良好的交通优势。工业园区内有“三高三桥一轨”构成四通八达的交通网络,有利于服务保障宽禁带半导体全产业链物流发展。

  六是良好的政策支持优势。除上级政策外,槐荫区专门设立了1亿元产业扶持专项资金,工业园区也设立了3500万元配套扶持资金,重点扶持以宽禁带半导体为代表的新兴产业发展。

  未来拟将宽禁带半导体产业特色小镇打造成国际领先的碳化硅半导体产业基地;带动形成基于碳化硅半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的千亿级产业集群;建成国际先进的宽禁带半导体研发、检测和服务公共平台,获得具有完全自主知识产权的新材料、新工艺、新器件,支撑全市、全省新旧动能转换,培育一批掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的品牌企业。在规划布局方面,拟分近期、中期、远期三个阶段推进:近期,重点发展产业起步区(约200亩),建设宽禁带半导体研发总部,打造国际领先的研发平台;中期,重点发展产业孵化区(约800亩),建设宽禁带半导体上下游产业链企业孵化基地,孵化优质项目,延伸产业链条,并积极申报国家级特色孵化基地;远期,重点发展产业核心区(约3600亩),打造宽禁带半导体产业聚集区和产城融合型特色小镇。

 

中共济南市槐荫区委员会

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